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東芝(Toshiba)半導(dǎo)體智能功率芯片
發(fā)布時(shí)間:2021-04-17 15:22:38 點(diǎn)擊量:
型號(hào): 東芝(Toshiba)半導(dǎo)體智能功率芯片
智能功率模塊芯片中的主要發(fā)熱元件是IGBT,功率芯片,驅(qū)動(dòng)1C及其外圍電阻,電容等元器件對(duì)散熱要求不高。支撐結(jié)構(gòu)主要有以下幾種方案:采用覆銅陶瓷基板作為支撐,將IGBT,F(xiàn)RD功率芯片與驅(qū)動(dòng)1C及其外圍電阻,電容等元器件焊接在覆銅陶瓷基板上,然后用環(huán)氧樹脂塑料塑封,其中將沒有元件焊接的一面露在外面,使用覆銅陶瓷基板(DBC)可提高產(chǎn)品的可靠性以及散熱能力,但I(xiàn)PM產(chǎn)品成本相對(duì)較高;
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