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在微波領(lǐng)域中，混合集成電路實現(xiàn)高電壓和大電流傳輸?shù)姆椒ㄉ婕岸鄠€方面。首先，多層共燒厚膜工藝是無源集成的主流技術(shù)，它允許更多的布線層，便于內(nèi)埋元器件，提高組裝密度，并具有良好的高頻特性和高速傳輸能力。這種技術(shù)特別適合于需要高電壓和大電流的應(yīng)用場景。

其次，LDO（線性穩(wěn)壓器）技術(shù)也是一個關(guān)鍵因素。例如，AMS1117系列支持高達40V的輸入耐壓和高達1A的輸出電流，同時保持低靜態(tài)功耗和高輸出精度。這種類型的穩(wěn)壓器能夠在不犧牲性能的情況下，有效地管理和調(diào)節(jié)高電壓和大電流。

此外，混合集成電路的設(shè)計還涉及到創(chuàng)新的微納集成電路和新型混合集成技術(shù)，這些技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)高功耗效率和電壓轉(zhuǎn)換比。這表明，通過采用先進的材料和技術(shù)，可以有效地解決高電壓和大電流傳輸?shù)膯栴}。

微波領(lǐng)域中混合集成電路實現(xiàn)高電壓和大電流傳輸主要依賴于多層共燒厚膜工藝、LDO穩(wěn)壓器技術(shù)以及創(chuàng)新的微納集成電路和新型混合集成技術(shù)的應(yīng)用。這些技術(shù)和方法共同作用，提高了集成電路的性能，使其能夠滿足微波領(lǐng)域?qū)Ω唠妷汉痛箅娏鱾鬏數(shù)男枨蟆?/p>